パワーエレクトロニクスイニシアチブ 2025 ～次世代パワーデバイスさらなる発展への突破口を探る～

基調講演1 次世代パワーデバイスの性能を
引き出す制御回路
長岡技術科学大学
伊東淳一 氏

基調講演2 超有望！ GaNパワーデバイスの
最新研究と社会実装に向けた現状
名古屋大学
山本真義 氏

基調講演3 WBG半導体活用の鍵を握る
「パッケージ技術」の最前線
東北大学
高橋良和 氏

基調講演4 SiCパワーデバイス進化の鍵を握る
ウエハー加工、最新の研究成果と
世界の競争環境
産業技術総合研究所　加藤智久 氏

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キーパーソンが
最新技術の動向
を発信

パワーデバイス
「材料・装置」から
「応用展開」まで

SiC/GaN実装
制御回路などの
課題解決ヒント

カーボンニュートラル実現に向け、パワーエレクトロニクスの技術進化と社会実装が急務となっています。産業機器や自動車の省エネに直結する基幹技術であり、国の重点投資領域でもあるパワーエレクトロニクス。中でもSiCやGaNなどの次世代パワーデバイスには大きな期待が寄せられていますが、本格的な社会実装には製造・設計・評価などエコシステム全体での課題が残っています。

本セミナーでは「次世代パワーデバイスさらなる発展への突破口を探る」をテーマに掲げ、デバイス/モジュールから材料/装置、応用展開にフォーカスします。各テーマの講演を通じて、全体の課題と現状を可視化し、さらなる発展に向けた最新情報をお届けします。

開催概要

名称: パワーエレクトロニクスイニシアチブ 2025
～次世代パワーデバイスさらなる発展への突破口を探る～
会期: 2025年12月4日（木）12:55～
形式: ライブ配信セミナー
主催: EE Times Japan、EDN Japan
参加費: 無料
対象者: ・パワーデバイス・パワーモジュールの設計者／企画担当者
・材料・装置ベンダー、加工技術関連の技術開発担当
・車載/エネルギー/空調/鉄道など応用製品の開発者・OEM
・研究機関・大学関係者、国・自治体の産業政策部門
・評価・測定、熱・ノイズ制御の専門ベンダー・商社

※申込の締切は 2025年12月4日（木）14:00 までとなります。

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プログラム

オープニング・メッセージ　12月4日（木）12:55～13:00

アイティメディア株式会社　EE Times Japan 編集長　村尾麻悠子

基調講演1　12月4日（木）13:00～13:40
次世代パワーデバイスの性能を引き出す制御回路

SiC／GaNなどの次世代パワーデバイスは、既存のシリコンパワーデバイスとは回路設計が大きく異なる場合がある。一例が制御回路だ。本講演では、次世代パワーデバイスの性能を引き出すための制御回路について解説する。

長岡技術科学大学
技術科学院教授
伊東淳一氏1996年3月、長岡技術科学大学大学院工学研究科修士課程修了。同年4月、富士電機株式会社入社。2004年4月、長岡技術科学大学電気系准教授。2017年4月、同大学電気系教授。現在に至る。主に電力変換回路、電動機制御の研究に従事。博士（工学）（長岡技術科学大学）。2007年第63回電気学術振興賞進歩賞，2010年 Takahashi Isao Award（IPEC Sapporo）、2014年・2016年電気学会産業応用部門論文賞、2017年文部科学大臣表彰・科学技術賞（開発部門）、2018年第4回永守賞など、受賞。IEEE Fellow Member、電気学会上級会員、自動車技術会会員。

セッション1　12月4日（木）13:50～14:20
SiCとGaNで高効率を実現：AI時代のデータセンター電源革新

AIデータセンターの急速な発展により深刻化する電力不足。CoolSiC™ JFETは高電圧で信頼性が高い堅牢な電力配分を、CoolGaN™ BDSは双方向スイッチで設計効率とコスト削減を実現。これらの次世代半導体が、持続可能で効率的な電力インフラ構築を支えます。

インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社
インダストリアル＆インフラストラクチャー事業本部マーケティング部部長
藤森正然氏

インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社
コンシューマー、コンピューティング＆コミュニケーション事業本部マーケティング部課長
孫茹氏

基調講演2　12月4日（木）14:30～15:10
超有望！ GaNパワーデバイスの最新研究と社会実装に向けた現状

SiCパワーデバイスと並び、存在感を放つGaNパワーデバイス。効率よく電流を流せる縦型GaNの他、普及が大いに期待されているのがGaN HEMTだ。本講演では、縦型GaNやGaN HEMTを含めた、GaNパワーデバイス研究、社会実装の最前線を取り上げる。

名古屋大学
未来材料・システム研究所教授
山本真義氏2003年山口大学理工学研究科博士取得後、サンケン電気株式会社、島根大学総合理工学部講師を経て、2011年より島根大学総合理工学部准教授着任。2017年より名古屋大学未来材料・システム研究所教授着任。パワーエレクトロニクス全般（磁気、制御、回路方式、半導体駆動）に関する研究に従事。博士（工学）。IEEE、電気学会、電子情報通信学会会員。応用は航空機電動化、自動車電動化、ワイヤレス給電の三本柱。日本の大学研究室としては珍しく、共同研究企業は40社を超え、海外の完成車メーカーとも強いコネクションを持つ。産学連携活動を強力に推進しており、企業との共同特許出願数も多数。共同研究だけでなく、各企業の戦略コンサルタントも請け負い、技術顧問としての活動も幅広い。

基調講演3　12月4日（木）15:20～16:00
WBG半導体活用の鍵を握る「パッケージ技術」の最前線

パワーデバイスにおいて、パッケージング技術は素子そのもの同様に重要な要素だ。次世代パワーデバイスは、既存のシリコンパワーデバイスに比べて放熱などの課題も多い。本講演では、ワイドバンドギャップ半導体におけるパッケージング技術の最新研究成果を解説する。

東北大学
国際集積エレクトロニクス研究開発センター教授
高橋良和氏富士電機株式会社にてパワー半導体研究開発部門のセンター長、技師長を経たのち、東北大学国際集積エレクトロニクス研究開発センター研究開発部門長教授。文部科学省革新的パワーエレクトロニクス創出基盤技術研究開発事業パワエレ回路システム領域「脱炭素社会に貢献する集積化パワーエレクトロニクス」研究代表。

基調講演4　12月4日（木）16:10～16:50
SiCパワーデバイス進化の鍵を握るウエハー加工、最新の研究成果と世界の競争環境

SiCパワーデバイスの品質向上や低コスト化の鍵となるのは、パワーデバイスそのものの設計だけではない。材料なども含め、ウエハー加工プロセスも大きな役割を果たす。本講演では、SiCウエハープロセス研究の最新の成果から、次期スタンダード技術を日本が掴むための議論、社会実装への実施例などを解説する。

産業技術総合研究所
先進パワーエレクトロニクス研究センターウェハプロセス研究チーム研究チーム長
加藤智久氏産総研先進パワーエレクトロニクス研究センターにてSiC単結晶成長・ウェハ加工技術の開発に従事。2件のNEDO大型国家プロジェクトにてSiCウェハウェハテーマリーダーを歴任、2019年より産総研TPEC材料分科会長として大型共同研究でのSiCウェハ開発を開始し現在に至る。

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