基調講演1　5月20日（火）13:00～13:40

ネクスファイ・テクノロジー株式会社
代表取締役社長
中村 孝 氏 1990年 ローム株式会社入社
1998年 京都大学にて博士号取得
2010年 ローム株式会社新材料デバイス研究開発センター センター長
2014年 福島SiC応用技術株式会社 取締役（兼任）
2016年 ローム株式会社 研究開発本部　統括部長
2017年 大阪大学大学院工学研究科 招聘教授（現職）
2017年　福島SiC応用技研株式会社 常務取締役
2019年　同社 取締役副社長
2021年 ネクスファイ・テクノロジー株式会社 代表取締役（現職）
専門（研究内容）は、SiCパワーデバイス全般、パワーデバイス応用開発。2014年に市村産業賞、2020年に山崎貞一賞などを受賞。

セッション1　5月20日（火）13:50～14:20
GaNSiCパワー半導体評価で使用するプローブの選び方(仮）

従来のパワー半導体評価では高電圧差動プローブや絶縁オシロスコープを用いるのが一般的でした。しかし近年ではSiC/GaN パワー半導体の採用が加速している背景もあり、CMRRに優れた光絶縁プローブを用いることが一般的です。本セミナーでは、GaN/SiC評価において光絶縁プローブを採用するメリットについてご紹介をします。

ローデ・シュワルツ・ジャパン株式会社
アプリケーション・エンジニアリング課
伊藤 卓 氏

セッション2　5月20日（火）14:30～15:00
ワイドバンドギャップ半導体の未来: 高エネルギー効率の世界を実現する

ワイドバンドギャップ(WBG)半導体は、従来の半導体とは大きく異なる特性を持ちます。本講演では、パワー半導体で長く市場をリードしているインフィニオンが、WBG半導体の基本原理と利点を説明し、次世代の効率的な電力変換スイッチとしてのGaNやSiCの特徴を紹介します。インフィニオンのWBG技術開発の実績と製品についても紹介し、高エネルギー効率の世界を実現するための新しいパワー エレクトロニクス材料の使用が重要な鍵になることを示します。

インフィニオン テクノロジーズ ジャパン株式会社
インダストリアル＆インフラストラクチャー事業本部 マーケティング部 部長
藤森 正然 氏

インフィニオン テクノロジーズ ジャパン株式会社
コンシューマー、コンピューティング＆コミュニケーション事業本部 マーケティング部 課長
孫 茹 氏

セッション3　5月20日（火）15:10～15:40
先進的なGaNコントローラとゲート・ドライバで窒化ガリウム（GaN）技術のメリットを最大限に活用

窒化ガリウム（GaN）FETの優れたスイッチング性能により、スペースに制約のあるアプリケーションでも高い電力密度を実現できます。GaN技術を使用したソリューションには、堅牢な動作の実現に必要となる新たな課題があります。このウェビナーでは、アナログ・デバイセズのGaN電源ソリューションを活用して設計プロセスを簡略化し、エネルギー効率性能を向上させる方法についてご紹介します。

Analog Devices, Inc.
Multi-Market Power Senior Manager
Tae Han 氏

Analog Devices, Inc.
Multi-Market Power Marketing Manager
Nixon Mathew 氏

セッション4　5月20日（火）15:50～16:20
SiCデバイス設計におけるEMI対策の勘所

高効率化と高周波化が進むSiCデバイス設計において、EMIの発生要因とその影響は無視できません。本セッションでは、ベースプレート容量の影響、SPICEシミュレーションの活用、最適なフィルタ設計手法について事例を交えながら解説します。

リチャードソンRFPDジャパン株式会社
技術担当部長
高柳 敦 氏

基調講演2　5月20日（火）16:30～17:10

立命館大学半導体応用研究センター
センター長/教授/RARAフェロー
金子 健太郎 氏1984年 大阪府出身。河内長野市育ち。大阪府立大学(現 大阪公立大学)工学部、京都大学工学研究科 電子工学専攻 博士前後期課程修了 博士(工学)。京都大学 助教、講師を経て、立命館大学 教授(2022年)、RARAフェロー(2023年)、半導体応用研究センター(RISA) センター長 (2024年)。研究者として、新しい酸化物の開拓と新規応用について研究を行っている。一例として、分子加熱用メタマテリアルの創出(酸化鉄、酸化ガリウム)、安価な水素生成技術の開発(二酸化スズ)、新しいパワー半導体材料(二酸化ゲルマニウム)の開発など、現在メーカー企業6社と共同研究を行っている。学生時代から半導体ディープテックベンチャーを複数創業してきた事から、基礎研究だけでなく、 社会実装を意識した研究開発を行っている。大学の研究シーズの活用や研究者の起業について、研究者の立場での助言やサポート活動を行っている。また、半導体応用研究センター長として半導体産業の活性化に貢献するため、滋賀県、草津市、京都府、京都市、大阪府泉佐野市、三重県、大分県、熊本県菊陽町などと半導体政策に関するアドバイス・交流を行っている。

セッション5　5月20日（火）17:20～17:50
東芝が提供するパワー半導体のソリューション

パワー半導体は、DXやGXの実現に不可欠なデバイスです。東芝デバイス＆ストレージでは、従来のSi製品に加え、耐電圧・熱特性に優れたSiC製品や、高周波特性に優れたGaN製品を開発しています。車載・産業向けアプリケーションを例に、当社製品の強みやソリューション提供、開発者向けサポートなど、最新の技術開発や事業戦略について紹介します。

東芝デバイス＆ストレージ株式会社
半導体応用技術センター 半導体応用技術企画部 シニアマネジャー
亀田 充弘 氏